功率芯片測試
PB6600
SiC KGD測試分選系統(tǒng)
特點
模塊化柔性設計
上下料可定制化設計，可擴展性強
六路并行測試
最多支持2個溫區(qū)測試
支持動態(tài)、靜態(tài)測試
靜態(tài)測試 2000V/600A
測試結(jié)果精準
室溫 ~ 200 ℃：高溫溫度穩(wěn)定性≤±3℃，
采用Hard Docking
系統(tǒng)雜散電感≤50nH
氮氣壓力檢測
加電針卡采用氣密設計
UPH能力超過1400pcs
單測試站測試時間≤1秒
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類型 |
參數(shù) |
指標 |
備注 |
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基本參數(shù) |
適用裸Die尺寸 |
2.5*2.5mm-8*8mm |
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適用裸Die厚度 |
100-400μm |
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綜合搬運精度 |
±30μm |
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控溫能力 |
溫度范圍 |
室溫~185℃ |
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溫度分辨率 |
0.1℃ |
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溫度穩(wěn)定性 |
≤±3℃ |
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視覺檢測能力 |
外觀檢測精度 |
≥12μm |
要求缺陷成像灰度與周邊對比度超過40以上 |
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缺陷檢測項目 |
正面/背面：劃痕、臟污、異物、炸點、缺角、崩邊 |
可支持正面劃痕(長度>30um，寬度>12um)、臟污(30um以上)、異物（30um）、炸點(30um)等缺陷檢測，支持背面崩邊(12um)、缺角（12um）臟污(30um)、劃痕(長度>30um,寬度>12um)、殘膠(30um)等缺陷檢測，具體缺陷閾值需根據(jù)客戶實際產(chǎn)品工藝的情況來定義，軟件可標記缺陷位置并保留缺陷圖片。 |
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側(cè)面：崩邊 |
支持側(cè)面切割黑線(寬度>12um,長度>30um)、崩邊(深度>30um,寬度>20um)等缺陷檢測。 |
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穩(wěn)定性 |
MTBF |
>168H |
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MTBA |
>2H |
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MTTA |
5 min |
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MTTR |
< 30 min |
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掉料率 |
≤0.01% |
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碎片率 |
≤0.01% |
搬運造成 |
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針痕深度 |
≤2μm |
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Drain極開爾文 |
≤2Ω |
TiNiAg材質(zhì) |
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測試效率 |
單die |
≥1400pcs/h |
測試時間≤1s |
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