揭示碳化硅器件可靠性:HTGB/HTRB老化特性與失效模式解析

2025.05.27
碳化硅(SiC)MOSFET作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體器件,正在引領(lǐng)電力電子技術(shù)的革命性發(fā)展。相較于傳統(tǒng)硅基器件,SiC MOSFET展現(xiàn)出顯著的技術(shù)優(yōu)勢:其禁帶寬度是硅材料的3倍,臨界電場強度高出近一個數(shù)量級,這使得器件可以采用更薄且高摻雜的漂移層設(shè)計,從而大幅降低導(dǎo)通電阻、提升能量轉(zhuǎn)換效率并減少熱損耗。