采樣示波器基于等效時(shí)間采樣及波形重建技術(shù)，從而實(shí)現(xiàn)更高精度且更優(yōu)成本的高速光電信號(hào)的測(cè)量。通過(guò)不同的濾波器選件配置，可以支持不同速率下光信號(hào)的眼圖測(cè)試。

對(duì)于高速的串行總線來(lái)說(shuō)，通過(guò)數(shù)據(jù)編碼把時(shí)鐘信息嵌入到傳輸?shù)臄?shù)據(jù)流里,在接收端通過(guò)時(shí)鐘恢復(fù)把時(shí)鐘信息提取出來(lái)，并用這個(gè)恢復(fù)出來(lái)的時(shí)鐘對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣，因此時(shí)鐘恢復(fù)電路對(duì)于高速串行信號(hào)的傳輸和接收至關(guān)重要。

在PON系統(tǒng)中，OLT下行數(shù)據(jù)是以廣播連續(xù)模式發(fā)送的，ONU上行數(shù)據(jù)由多個(gè)用戶終端按時(shí)分多址的方式發(fā)送的突發(fā)模式數(shù)據(jù)包組成，需要突發(fā)誤碼儀在突發(fā)模式才能驗(yàn)證OLT接收機(jī)的性能。

通用誤碼分析儀是一種對(duì)誤碼率進(jìn)行測(cè)試和分析的儀器，用于數(shù)字傳輸系統(tǒng)、光纖通信系統(tǒng)、數(shù)字微波系統(tǒng)的誤碼檢測(cè)與告警監(jiān)測(cè)，是光模塊、光器件在研發(fā)和生產(chǎn)中誤碼測(cè)試的重要工具。

近年來(lái)隨著光模塊PAM4的應(yīng)用，強(qiáng)制FEC的引入使得光模塊廠商除PRBS業(yè)務(wù)外，還需加入MAC層Traffic的流量測(cè)試, 與傳統(tǒng)的誤碼儀不同，流量?jī)x可以支持以太網(wǎng)包測(cè)試，基于以太網(wǎng)幀的真實(shí)FEC分析以及標(biāo)準(zhǔn)的2544協(xié)議測(cè)試等，還可以接入交換機(jī)進(jìn)行跑流測(cè)試，使得網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀相比誤碼分析儀有更大的應(yīng)用空間。

隨著對(duì)通信數(shù)據(jù)需求的不斷增長(zhǎng),傳輸骨干網(wǎng)中大量使用基于波長(zhǎng)可調(diào)諧激光器的相干通信模塊。

光功率計(jì)，光開(kāi)關(guān)，光衰減器分別用于光功率測(cè)量，光路切換，光功率調(diào)節(jié)等應(yīng)用場(chǎng)景，是光通訊系統(tǒng)必不可少的基本儀表。

光電混合ATE是一個(gè)高度集成的光模塊軟硬件測(cè)試平臺(tái)。硬件平臺(tái)集成光模塊測(cè)試的各類儀表，軟件平臺(tái)封裝了各測(cè)試子功能模塊，用戶可以根據(jù)實(shí)際的測(cè)試需求選擇最優(yōu)的硬件配置，配合可二次開(kāi)發(fā)的軟件子模塊，極大降低了開(kāi)發(fā)成本，提高測(cè)試系統(tǒng)的穩(wěn)定性，加快新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，是光模塊測(cè)試行業(yè)的一次革新，推動(dòng)光模塊測(cè)試向高效率、高自動(dòng)化、高集成化的方向發(fā)展！

高精度源表集電壓源，電流源，電流表，電壓表及負(fù)載功能于一體，在半導(dǎo)體分立元器件，光伏，汽車，電池，納米表征器件等多個(gè)領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用。

PXIe源表模塊，支持標(biāo)準(zhǔn)的PXIe機(jī)箱，方便集成和擴(kuò)展多通道源表，組建大規(guī)模集成化測(cè)試系統(tǒng)

高壓源表設(shè)計(jì)用于高壓電子和功率半導(dǎo)體器件的特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用在功率半導(dǎo)體特性，GaN、SiC 表征，復(fù)合材料，高壓漏電流等測(cè)試和研究領(lǐng)域。

聯(lián)訊儀器低漏電開(kāi)關(guān)矩陣基于高絕緣干簧繼電器和低泄漏電流控制技術(shù)，專為半導(dǎo)體晶圓參數(shù)測(cè)量應(yīng)用而設(shè)計(jì)，支持SMU/SPGU/CMU/DMM等測(cè)量設(shè)備的接入。

WAT(Wafer Acceptance Test) 最高支持48Pin并可靈活配置， 兼容行業(yè)探針卡結(jié)構(gòu),支持所有類型的通用探針臺(tái)控制， 自研亞pA級(jí)精度源表， 支持串行和并行兩種測(cè)試方案。

超快速脈沖源/源表,支持窄脈寬，快速上升沿，高精度脈沖輸出及測(cè)量，廣泛應(yīng)用于中等功率器件、非易失性存儲(chǔ)器、MEMS 器件等測(cè)試場(chǎng)景。

半導(dǎo)體激光器有著超小型、高效率和高速工作的優(yōu)異特點(diǎn)，是光通訊的核心器件，半導(dǎo)體激光器在出廠前必須對(duì)各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，包括老化前后的產(chǎn)品特性變化等都必須嚴(yán)格控制，以確保產(chǎn)品的可靠性及使用壽命等。

激光器在制造過(guò)程中都會(huì)進(jìn)行老化測(cè)試，以識(shí)別并移除可能導(dǎo)致早期失效的有缺陷的器件，半導(dǎo)體激光器具有多種封裝形式、功率級(jí)別，這使得半導(dǎo)體激光器的測(cè)試更為復(fù)雜。

硅光是以光子和電子為信息載體的硅基光電子大規(guī)模集成技術(shù)，能夠大大提高集成芯片的性能，是大數(shù)據(jù)、人工智能、移動(dòng)通信等新興產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)性支撐技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于大數(shù)據(jù)中心、5G、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)。硅光技術(shù)，利用硅材料中的光子、電子及光電子器件的工作機(jī)理和光電特性，采用與集成電路兼容的微納米加工工藝，在硅晶圓上開(kāi)發(fā)制造光電子芯片。

晶圓級(jí)老化（Wafer Level Burn-In ）測(cè)試主要指車規(guī)級(jí)SiC晶圓老化，把可靠性有隱患的SiC芯片篩選出來(lái)，保障封裝后SiC模組車規(guī)級(jí)使用中的可靠性

KGD(Known Good Die) 測(cè)試系統(tǒng)主要應(yīng)用于功率裸芯片的動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，可以對(duì)裂片過(guò)后的 Die 進(jìn)行篩選，提高模塊封裝的累積良率。

聯(lián)訊儀器 AL6200 Die級(jí)芯片檢測(cè)分選機(jī)主要應(yīng)用于功率芯片裸Die的外觀檢測(cè)與分選分Bin，分選條件根據(jù)芯片不同測(cè)試規(guī)格以及外觀瑕疵檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行判定。