功率芯片測試
PB6800
SiC KGD測試分選系統(tǒng)
特點
出色的可擴展性
模塊化設計，支持加載、卸載和多個測試站，增強多功能性
六路并行測試
最多支持2個溫區(qū)測試
支持動態(tài)、靜態(tài)、UIS測試
支持高達2000V/600A的靜態(tài)測試
下料模塊化設計
可支持wafer/wafer+tape&reel/wafer+ auto tray下料
精確的溫度控制
從室溫到200°C，精度為±3°C，分辨率為0.1°C
氣密socket設計
通過氮氣保護和氣壓監(jiān)測防止高壓打火
高效多站并行測試
最多6個測試站點，測試時間為0.7秒， UPH>4000
良好的維護性
支持炸die自動更換socket，提升設備稼動率
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類型 |
參數(shù) |
規(guī)格 |
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基本參數(shù) |
產(chǎn)品類型 |
SiC，IGBT |
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UPH |
最高4700，包括輸入和輸出 |
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裝載機 |
晶圓，自動托盤， 膠帶 |
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卸載機 |
Wafer / Wafer + Auto Tray / Wafer + Tape&Reel |
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控溫能力 |
溫度范圍 |
最高溫度可達 200°C |
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溫度穩(wěn)定性 |
≤±3°C |
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檢測能力 |
測試站 |
最多 6 個 |
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雜散電感 |
≤40nH |
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改裝套件 |
Socket |
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模具尺寸 |
2.5*2.5mm-8*8mm |
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模具厚度 |
100μm- 400μm |
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綜合搬運精度 |
±30μm |
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卸載機 |
Wafer / Wafer +Auto Tray / Wafer+Tape&Reel |
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更換插座 |
自動 |
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插座清潔 |
自動 |
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AOI |
6 |
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AOI 精確度 |
≥12μm |
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缺陷檢測 |
正面/背面：劃痕、污垢、異物、裂紋、未填充的角落和崩裂 側(cè)面：削邊 |
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穩(wěn)定性 |
MTBF |
>168小時 |
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MTBA |
>2小時 |
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MTTA |
<5分鐘 |
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MTTR |
<30分鐘 |
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掉料率 |
≤0.01% |
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碎片率 |
≤0.01% |
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針痕深度 |
≤2μm |
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Drain開爾文 |
≤2Ω |
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