芯片良率是影響企業(yè)成本的重要因素之一，半導(dǎo)體激光器屬于化合物半導(dǎo)體，其主要材質(zhì)以非常脆的砷化鎵、磷化銦為主，在其制備的各個(gè)工藝環(huán)節(jié)，良品率不高是一個(gè)普遍問題。以國(guó)外知名芯片企業(yè)為例，其生產(chǎn)能達(dá)到70%以上良率，但后道封裝以及最終產(chǎn)品嚴(yán)格判定標(biāo)準(zhǔn)等累計(jì)具有30%良率的損失。良品率不高，就需要專用的測(cè)試裝備對(duì)不良品進(jìn)行篩選，國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域原先一直停留在低端的Bar條測(cè)試，bar條測(cè)試后的芯片需要二次裂片，中間環(huán)節(jié)各種因素對(duì)于苛刻的高端芯片又會(huì)導(dǎo)致3-5%的良率損失。隨著半導(dǎo)體激光器芯片速率越來越高，后道封裝存在芯片尺寸更小及工藝更復(fù)雜的趨勢(shì)，而這些二次損傷的芯片被作為良品流入后道封裝環(huán)節(jié)，會(huì)帶來了巨大的成本支出，從而提高了成品器件的生產(chǎn)成本。另外半導(dǎo)體激光器芯片對(duì)溫度非常敏感，Bar條在測(cè)試臺(tái)上的接觸因?yàn)椴荒芡耆珴M足芯片在高溫測(cè)試條件下散熱的要求，重復(fù)測(cè)試GRR不能保證。因此，國(guó)內(nèi)外廠家都已經(jīng)逐步從低端的Bar條測(cè)試轉(zhuǎn)向高端的裸Die半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試。

聯(lián)訊儀器芯片測(cè)試機(jī)

聯(lián)訊儀器激光器芯片測(cè)試機(jī)是光芯片測(cè)試的關(guān)鍵核心高端裝備，集光、機(jī)、電、軟、算于一體的復(fù)雜系統(tǒng)，通過集成芯片ID掃描、上料、運(yùn)輸、高/低溫控制、測(cè)試、下料、分揀歸類功能單元，可以適應(yīng)不同類型半導(dǎo)體激光器 (DFB、EML、EML+SOA)裸Die芯片及CoC芯片光電特性進(jìn)行檢測(cè)、判定與分選。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

▌支持工業(yè)低溫-40℃~95℃；

▌支持多種產(chǎn)品 DFB/EML/EML+SOA；

▌測(cè)試速度快；

▌專利測(cè)試載臺(tái)；

▌OCR 深度學(xué)習(xí)算法；

▌高可靠性和穩(wěn)定性；

▌不同激光器配置不同數(shù)量加電探針；

▌支持激光器前光與背光LIV掃描測(cè)試，以及前光光譜測(cè)試；

芯片測(cè)試機(jī)系統(tǒng)功能模組

▌上料模組

支持藍(lán)膜或者Gelpak；

在有效范圍內(nèi)進(jìn)行Die的定位和相鄰物料間隔自動(dòng)計(jì)算，實(shí)時(shí)調(diào)整物料位置

▌Chip搬運(yùn)模組

搬運(yùn)模組由吸嘴高精度直線電機(jī)組成；

實(shí)現(xiàn)上料藍(lán)膜—>常高溫測(cè)試載臺(tái)—>下料藍(lán)膜間的轉(zhuǎn)運(yùn)

▌視覺定位模組

視覺定位以及OCR提取(OCR 深度學(xué)習(xí)算法 )

▌測(cè)試模組

◢ 自研控溫載臺(tái)，高導(dǎo)熱，高穩(wěn)定性，高耐磨

◢ 加電探針，自研高可靠性探針組件，確保扎針穩(wěn)定性

◢ 視覺+運(yùn)動(dòng)模組，校正芯片位置與出光角度

◢ 大面積探測(cè)器與專用光學(xué)準(zhǔn)直器組件，進(jìn)行LIV掃描與光譜掃描測(cè)試

▌下料分檔模組

支持多種分Bin條件，可自由配置

系統(tǒng)軟件

▌功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)潔

操作界面，信息錄入，配置測(cè)試計(jì)劃；

測(cè)試信息界面，測(cè)試數(shù)據(jù)，測(cè)試結(jié)果展示

測(cè)試指標(biāo)

▌系統(tǒng)功能

▌光參數(shù)

▌電參數(shù)

規(guī)模化應(yīng)用