4月25日，由臺灣電子設(shè)備協(xié)會聯(lián)手國立臺灣大學(xué)工學(xué)院共同舉辦的第三屆化合物半導(dǎo)體國際論壇在臺北南港展覽館圓滿落下帷幕。本屆論壇旨在推動化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在臺灣的前進(jìn)，邀請了海內(nèi)外重量級講師就“化合物半導(dǎo)體”的應(yīng)用市場、制造設(shè)備、測試設(shè)備以及第四代化合物半導(dǎo)體等相關(guān)話題進(jìn)行交流。

聯(lián)訊儀器市場副總林甲威作為特邀嘉賓參加了本次論壇，發(fā)表《Semight Turn-Key Solution for SiC Test and Reliability》的專題演講，分享聯(lián)訊儀器在SiC測試方面的完整方案和專業(yè)經(jīng)驗(yàn)。

                                                             （聯(lián)訊儀器市場副總 林甲威）

本屆論壇主題為“化合物半導(dǎo)體”，邀請了ROHM、SiCEV、Coherent、Infineon、Yole Intelligence等各國大廠專家，針對新世代化合物半導(dǎo)體技術(shù)趨勢提供專業(yè)資訊。根據(jù)專業(yè)人士預(yù)測，SiC產(chǎn)業(yè)在2023——2029年間，以25%的年復(fù)合成長率快速增長，中國產(chǎn)能占比將大幅提升。

眾所周知，SiC 具有很強(qiáng)的擊穿力場和更高的導(dǎo)熱率，使得器件可以在高電壓和高達(dá)175℃的環(huán)境下高效運(yùn)轉(zhuǎn)。但目前SiC制造存在很明顯的可靠性問題。比如較多的外在缺陷，閾值電壓的漂移，SiC MOSFET 的短路能力、雙極退化減少SiC器件的有源面積等等。

多年來，聯(lián)訊儀器深耕SiC制造與測試流程中的核心領(lǐng)域，堅持核心儀表自主研發(fā)，接連推出高壓串行參數(shù)測試系統(tǒng)WAT6300、晶圓級老化系統(tǒng)WLBI3800、 KGD測試分選機(jī)PB6400、Multi-site晶圓級可靠性測試設(shè)備 WLR0010等SiC相關(guān)測試設(shè)備，為SiC材料的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用提供了全方位的交鑰匙解決方案。

聯(lián)訊儀器長期保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入，現(xiàn)有研發(fā)及生產(chǎn)場地超過20000㎡，研發(fā)人員占比超過50%，研發(fā)投入占比達(dá)到30%，是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC晶圓老化、KGD測試系統(tǒng)供應(yīng)商。