SiC 功率器件迅速發(fā)展

功率半導體器件是電子裝置電能轉換與電路控制的核心器件，本質(zhì)上，是通過利用半導體的單向導電性實現(xiàn)電源開關和電力轉換的功能，無論是水電、核電、火電還是風電， 甚至各種電池提供的化學電能，大部分無法直接使用，需由功率半導體器件進行功率變換以后才能供設備使用。功率半導體器件可廣泛應用于變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關等場合，能顯著降低系統(tǒng)功耗，被廣泛應用于電動汽車、通信、消費電子等工業(yè)領域。

SiC 基功率器件在大功率應用場景具備天然優(yōu)勢，以 SiC 為代表的第三代半導體材料禁 帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優(yōu)勢，因此采用 SiC 制備的半 導體器件在高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等應用領域優(yōu)勢獨特。

Yole預測，受新能源汽車和光伏領域應用的強烈推動，SiC功率器件市場規(guī)模將從2021 年的 10.90 億美元增至 2027 年的 62.97 億美元，CAGR 達 34%。

Known Good Die 測試

KGD(Known Good Die)通過測試等方法，在封裝之前剔除前工序生產(chǎn)的具有缺點隱患及失效的芯片(芯粒、籽芯、管芯)，提高封裝后良率以及滿足高密度多芯片封裝，降低生產(chǎn)成本，加快產(chǎn)品盡快推向上市。

聯(lián)訊儀器SiC KGD測試分選系統(tǒng) PB6600

裝置分離、強擴展性，上下料部分的處理裝置與測試部分分離，擴展性極強

六路并行測試，最多支持6個測試站，不同測試站支持不同的測試條件和項目

靜態(tài)測試 2000V/600A，動態(tài)測試 1200V/2000A

測試結果精準，室溫 ~ 200 ℃：精度＜±3℃，分辨率0.1℃

采用hard docking，系統(tǒng)雜散電感≤50nH

氮氣壓力檢測，探針卡采用密封腔設計，防止電弧產(chǎn)生

UPH能力超過1400pcs，單測試站測試時間≤1秒