硅光晶圓測(cè)試
sCT9002
硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)
基于多年的光學(xué)儀表和半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),聯(lián)訊儀器硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)sCT9002全面優(yōu)化和整合軟硬件系統(tǒng),在光學(xué)對(duì)準(zhǔn)能力、耦合速度多方面均有顯著提升。整體系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),光學(xué)耦合可選用光纖或光纖陣列,支持垂直耦合和邊緣耦合,并行測(cè)試大幅縮短了測(cè)試時(shí)間,有效提升測(cè)試效率。sCT9002高精度和高可靠性的測(cè)量結(jié)果為硅光晶圓的研發(fā)及生產(chǎn)保駕護(hù)航。
特點(diǎn)
全自動(dòng)探針臺(tái)
支持全自動(dòng)和半自動(dòng)上下晶圓片邊緣耦合
采用納米位移傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)距離,減少損傷光纖的風(fēng)險(xiǎn)垂直耦合
使用垂直耦合方式對(duì)準(zhǔn)晶圓級(jí)光柵耦合器自動(dòng)化光纖校準(zhǔn)
自動(dòng)化的標(biāo)定腳本,3分鐘內(nèi)即可完成光纖陣列的角度標(biāo)定模塊化平臺(tái)軟件
支持Notch Up/Down連續(xù)測(cè)試,無(wú)需下片,節(jié)約測(cè)試時(shí)間自研源表
高精度12-channel板卡式源表, 集成度高,節(jié)約機(jī)臺(tái)空間配有高度測(cè)試儀
解決晶圓在Chuck上平面度問(wèn)題測(cè)試溫度范圍
室溫25°~150°(其它溫度可定制)功能與優(yōu)勢(shì)
系統(tǒng)架構(gòu)
sCT9002硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化晶圓裝載,裝載的晶圓可在載臺(tái)上旋轉(zhuǎn)定位并根據(jù)測(cè)試需求調(diào)整測(cè)試溫度,主動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和電探針將光電信號(hào)耦合/連接至測(cè)試儀表,完成對(duì)晶圓的測(cè)試。自動(dòng)上下晶圓
晶圓上料模式可選全自動(dòng)模式或半自動(dòng)模式。半自動(dòng)模式適用于實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證節(jié)約投入成 本;全自動(dòng)模式適用于大規(guī)模量產(chǎn),提升生產(chǎn)效率。測(cè)試能力
測(cè)試類型 |
測(cè)試項(xiàng) |
單位 |
定義 |
純光測(cè)試 |
Insert Loss |
dB |
插入傳輸損耗,待測(cè)器件入光功率和出光功率的差值 |
Wavelength Scan |
dBm |
波長(zhǎng)掃描,使用可調(diào)諧激光器掃描光譜,記錄不同波長(zhǎng)下待測(cè)器件的輸出光功率 |
|
Coupling |
- |
耦合,使用X-Y壓電位移平臺(tái)是的光纖陣列達(dá)到最佳耦合點(diǎn)位置 |
|
光電測(cè)試 |
PD Responsivity |
A/W |
PD響應(yīng)度,PD轉(zhuǎn)化接收到的光為電流的效率 |
Modulator ER |
dB |
靜態(tài)消光比,調(diào)制器調(diào)制得到的最大和最小光功率的比值 |
|
Heater PIV Scan |
- |
掃描加熱器的電流/電壓曲線,MPD電流和光功率曲線。同時(shí)找到調(diào)制器的peak/null/quad點(diǎn) |
|
MPD Optical Current |
nA |
在heater PIV scan過(guò)程中同步記錄MPD的光電流 |
|
純電測(cè)試 |
MPD Dark Current |
nA |
MPD暗電流,在無(wú)光狀態(tài)下掃描MPD在不同偏壓下的電流噪聲 |
MPD Resistance |
Ω |
MPD電阻 |
|
Heater Resistance |
Ω |
加熱器電阻 |
|
Epower/Ppi |
mW |
調(diào)制器改變Pi相位時(shí)所需要的功耗 |
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