晶圓級老化
WLBI3810
晶圓級老化系統(tǒng)
聯(lián)訊儀器WLBI3810晶圓級老化系統(tǒng)是一款專為碳化硅（SiC），氮化鎵（GaN）晶圓設(shè)計(jì)的高端老化測試設(shè)備，具備高效、精準(zhǔn)的測試能力。該系統(tǒng)可同時對9片晶圓進(jìn)行高溫柵極偏壓（HTGB）和高溫反向偏壓（HTRB）老化測試，測試時間范圍從數(shù)分鐘至數(shù)千小時，靈活適應(yīng)不同產(chǎn)品的老化需求。設(shè)備集成了全自動上下料系統(tǒng)，采用三卡塞設(shè)計(jì)，支持無縫切換，并具備自動切換老化條件的功能，確保測試過程的高效性和連續(xù)性。
該系統(tǒng)能夠?qū)γ總€Die的閾值電壓（Vth）進(jìn)行高精度檢測，確保測試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。每個測試通道均配備了獨(dú)立的過電流保護(hù)功能，有效保障被測器件的安全性。此外，系統(tǒng)可生成詳細(xì)的Map數(shù)據(jù)，為用戶提供全面的性能分析和質(zhì)量控制依據(jù)。無論是大規(guī)模批量生產(chǎn)中的穩(wěn)定老化測試，還是研發(fā)階段的靈活配置需求，WLBI3810系統(tǒng)均能提供可靠的解決方案，滿足多樣化的測試要求。
特點(diǎn)
自動化上下料
支持晶圓的全自動上料和下料
高精度定位
針痕重復(fù)定位精度達(dá)到±10μm
系統(tǒng)功能豐富
支持高密度探針卡以及高壓Chuck
多模式老化
HTGB與HTRB自動可切換，滿足不同老化需求
漏電配置掃描
Igss與Idss漏電配置可掃描
集成測試功能
集成Vth參數(shù)測試
高精度漏電流測試
最高精度漏電流分辨率可以達(dá)到0.1nA
溫度控制
溫度均勻性≤±3℃，準(zhǔn)確性≤1℃，分辨率0.1℃功能與優(yōu)勢
整機(jī)最多可適配9個老化工位，每工位可以老化一片wafer，且每工位電路獨(dú)立控制可以實(shí)現(xiàn)不同工位工作在不同模式，可以通過調(diào)用老化Plan進(jìn)行不同的老化驗(yàn)證。
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序號 |
機(jī)型名稱 |
產(chǎn)品描述 |
參數(shù) |
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1 |
晶圓級老化系統(tǒng)主機(jī)架 |
WLBI3810-M |
- 包含系統(tǒng)機(jī)架、電氣柜、上下料機(jī) - 支持晶圓上料、下料全自動 - 支持針痕重復(fù)定位精度±10μm - 支持Map數(shù)據(jù)綁定，數(shù)據(jù)可追溯 - HTGB與HTRB自動可切換 - Igss與Idss漏電配置可掃描 - 集成Vth參數(shù)測試 - 靈活配置老化計(jì)劃 - 支持SECS/GEM通訊接口 - 軟件支持本地?cái)?shù)據(jù)和數(shù)據(jù)庫上傳，支持EAP對接。 - 支持CP MAP數(shù)據(jù)導(dǎo)入 - 支持在線編輯測試Recipe - 軟件支持三級權(quán)限管理和多賬號管理 備注：HTGB+HTRB：滿配9工位 |
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2 |
晶圓級老化系統(tǒng)單層 |
WLBI3810-L |
- 高精度漏電流測試，最高精度漏電流分辨率可以到0.1nA - 支持氮?dú)獗Ｗo(hù)，防止高壓打火和Pad氧化。 - 溫度均勻性≤±3℃，準(zhǔn)確性≤1℃，分辨率0.1℃。 - 高密度探針卡以及支持高壓Chuck - 高精度和高可靠性加熱及溫控系統(tǒng) - 6&8寸晶圓 - Full Touch, 一次老化所有Die，最高4224個Die。 - 1年免費(fèi)維護(hù) 備注：HTGB+HTRB滿配9工位 |
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3 |
晶圓級老化系統(tǒng)夾具 |
WLBI3800-F |
- 針對SiC晶圓老化：HTGB+HTRB - 支持6&8寸晶圓 - 最高支持4224個Die |
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