晶圓可靠性測(cè)試在車規(guī)級(jí)SiC芯片的必要性：

根據(jù)浴盆曲線理論任何電子元件在生命周期的初期會(huì)有一個(gè)高故障率，隨著時(shí)間的推移故障率會(huì)明顯下降到穩(wěn)定期。

車規(guī)SiC功率模塊和普通的TO封裝器件不同，普通的TO封裝器件內(nèi)部只有一顆DIE，如果失效只需替換單顆器件就可以了，但是車規(guī)SiC功率模塊內(nèi)部保護(hù)十幾顆到幾十顆DIE，如果有一顆DIE失效整個(gè)模塊性能就會(huì)受到影響。所以如果可以把不良DIE提前從晶圓上就篩選出來(lái)可以大大提升封裝成模塊的良率和模塊的生命周期。

聯(lián)訊提供了晶圓老化整套的解決方案包含CP-上料機(jī)-晶圓老化-下料機(jī)-KGD解決了封裝成模塊之前的全套測(cè)試方案。

WLBI3800晶圓級(jí)老化系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：
1、自動(dòng)化上下料：支持晶圓的全自動(dòng)上料和下料，減少了人工干預(yù)，提高了老化效率和準(zhǔn)確性。
2、高精度定位：針痕重復(fù)定位精度達(dá)到±25μm，保證了老化測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性。
3、數(shù)據(jù)可追溯性：支持Map數(shù)據(jù)綁定，使得每一次測(cè)試的數(shù)據(jù)都可以被追溯和記錄，方便后續(xù)的分析和管理。
4、多模式老化：HTGB與HTRB自動(dòng)可切換，滿足不同老化需求。
5、漏電配置掃描：Igss與Idss漏電配置可掃描，確保系統(tǒng)漏電配置的正確性和安全性。
6、集成測(cè)試功能：集成Vth參數(shù)測(cè)試，可以方便地進(jìn)行相關(guān)參數(shù)的測(cè)試。
7、靈活的老化計(jì)劃：老化計(jì)劃可以靈活配置，滿足不同晶圓的老化需求。
8、通訊接口：支持SECS/GEM通訊接口，方便與其他系統(tǒng)或設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)交換和通信。
9、軟件支持：軟件支持本地?cái)?shù)據(jù)和數(shù)據(jù)庫(kù)上傳， CP Map數(shù)據(jù)導(dǎo)入，在線編輯測(cè)試Recipe，以及三級(jí)權(quán)限管理和多賬號(hào)管理。
10、高精度漏電流測(cè)試：最高精度漏電流分辨率可以達(dá)到0.1nA。
11、氮?dú)獗Ｗo(hù)：支持氮?dú)獗Ｗo(hù)，有效防止高壓打火和Pad氧化，確保測(cè)試環(huán)境的穩(wěn)定性。
12、溫度控制：溫度均勻性≤±3℃，準(zhǔn)確性≤1℃，分辨率0.1℃，保證了測(cè)試環(huán)境的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。
13、高密度探針卡與高壓Chuck：支持高密度探針卡以及高壓Chuck，滿足高密度和高壓測(cè)試的需求。
14、老化系統(tǒng)兼容性：特別針對(duì)Sic晶圓進(jìn)行老化測(cè)試，系統(tǒng)兼容6&8寸晶圓，最高可支持一次同時(shí)老化2112個(gè)Die。