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激光器測試

CT8201

常高溫芯片測試機

聯(lián)訊儀器常高溫芯片測試機 CT8201 是針對半導(dǎo)體DFB或EML激光器在常溫、高溫兩個不同溫度下進行的光電特性LIV掃描測試、EA掃描測試、光譜掃描測試。系統(tǒng)主要由晶圓供給區(qū)、芯片搬運區(qū)、芯片位置校正區(qū)、芯片OCR提取區(qū)、芯片測試區(qū)、芯片收納區(qū)共六部分組成。系統(tǒng)集成了從晶圓環(huán)上料、運輸、DUT ID掃描、常/高溫測試、下料、分揀歸類。
聯(lián)訊儀器 CT8201 支持激光器前向、后向光電測試以及前向光光譜測試。支持兩個溫區(qū)測試：兩個測試平臺以支持高溫/常溫測試。
CT8201 測試效率非常高，可以在6s（EML激光器根據(jù)測試項目不同效率會有增加）內(nèi)完成上述6個流程。非常適合大批量量產(chǎn)應(yīng)用。系統(tǒng)采用偏心凸輪結(jié)構(gòu)、高精度直線電機、高重復(fù)性步進電機計、高精密夾具、高穩(wěn)定性加電探針以及高導(dǎo)熱載臺，使其具有超高的精度和穩(wěn)定性。

手冊CN

手冊EN

申請樣機

特點

全自動化、智能化集成解決方案
高度集成全自動化解決方案，覆蓋非常復(fù)雜的測試流程
高效率
提升效率，減少人為參與的潛在風(fēng)險
自動切換準直光纖和大面積光電探測器
測試后自動分揀DUT
維護升級非常簡單
所有機構(gòu)件可以獨立返廠
方便使用
自動告警狀態(tài)和提示顯示，
所有儀器、測試計劃、通過/失敗標準都可以非常方便進行配置

功能與優(yōu)勢

全自動化、智能化集成解決方案
上料模組
本模組由頂針Z模組，X/Y運動模組，藍膜旋轉(zhuǎn)模組4個子功能模塊組成，左側(cè)為校準用底部相機，搭配上方識別相機，和吸嘴運動模組，實現(xiàn) Chip 的取料功能。
Chip 包裝的兼容模式： 1個6寸擴晶環(huán)。
高溫、常溫測試模組
本模組由中空旋轉(zhuǎn)平臺，正反2個3軸Chip校準模組，3軸收光探測模組組成，搭配模組上方的ID/位置識別相機，和探針加電調(diào)整模組，完成上料后位置角度的校準工作，和Chip測試加電工作。PD/準直器使用運動軸實現(xiàn)功能快速切換。
測試臺溫度可根據(jù)工藝獨立設(shè)定，溫度穩(wěn)定性<±0.2 ℃。
相機、探針加電模組
設(shè)備右側(cè)上料相機搭配上料模組，完成Chip的上料識別功能（可根據(jù)來料需求搭配不同功能組件）高/常溫測試模組上方的相機（設(shè)備中部），在Chip的上料動作完成后，通過多次拍照搭配3軸運動模組，完成Chip的位置校準（高溫相機同步完成 Chip的ID識別）。
探針加電調(diào)整模組，每組搭配最多3組探針（可選配背光PD子功能模組），不同組合搭配，可實現(xiàn)DFB / EML產(chǎn)品的 LIV/ 消光比等相關(guān)參數(shù)的測試。
下料分檔模組
下料模組配置4個載盤放置區(qū)域，可支持4個6寸藍膜，或者根據(jù)客戶需求定制兼容的下料載具。

參數(shù)類型	參數(shù)名稱	參數(shù)指標
系統(tǒng)參數(shù)	芯片類型	支持客戶指定的DFB與EML芯片
	芯片尺寸	長&寬≥150 μm，高≥80~150 μm
	測試溫區(qū)	2
	測試項目	半導(dǎo)體激光器芯片前向/后向光學(xué)與電學(xué)性能
	測試參數(shù)	Ith, Se, Iop, Pf, Vf, Kink, Rs, IRoll, λc, SMSR 等可根據(jù)客戶需求進行增減
	OCR光學(xué)識別	自動OCR
	Nip	特殊設(shè)計的吸嘴結(jié)構(gòu)，先從料盒剝離，然后吸起
	上料容器	1個6英寸藍膜或者4個Gel Pak（選配）
	下料容器	4個6英寸藍膜或16個Gel Pak（選配）
	分類	支持任何用戶自定義分類
	標準樣品控制	軟件支持標準樣品管控功能。如果標準樣品在本機臺測試超過時間周期（可配置），系統(tǒng)自動告警
	測試配置管控	軟件支持測試配置管控，包括測試儀表，測試算法，測試序列，測試結(jié)果判斷等。
	測試數(shù)據(jù)	支持用戶要求的所有測試數(shù)據(jù)/支持MES相關(guān)的需求
電學(xué)指標	SMU類型	聯(lián)訊自研高精度源表或其他指定類型
	直流電流	3 A
	I/V 源分辨率	10 fA/100 nV
	I/V 測量分辨率	10 fA/100 nV最小電源分辨率（6位半）
	電壓范圍	70 V
	脈沖電流	10 A
	正常工作條件下過充	無EOS
	正常工作條件下下充	無EOS
	異常工作條件下過充	無EOS
	異常工作條件下下充	無EOS
光學(xué)指標	光功率測量探測器類型	Ge
	光功率波長范圍	800~1700 nm
	光功率測量范圍	10 μW-25 mW(>25 mW可增加衰減片測量）
	光功率測量精度	0.1 dB
	光譜測量范圍	1250-1650 nm (850 is an option)
	光譜測量精度	0.1 nm
	功率耦合效率	耦合功率〉-15 dBm@光譜測量
	EA DCER精度	0.2 dB
溫度控制指標	溫度控制方法	TEC
	溫度范圍	25~95 ℃
	溫度區(qū)域	40 ℃/min
	溫度下降速度	2個獨立的溫度控制區(qū)域（雙載臺）
	升溫速度	40 ℃/min
	降溫速度	40 °C/min
	溫度精度	±0.5 °C
	溫度穩(wěn)定性	±0.2 °C
測試參數(shù)指標	Ith重復(fù)性	±1%
	功率重復(fù)性	±2%
	波長重復(fù)性	<±0.2 nm
	SMSR 重復(fù)性	<3 dB
	OCR識別成功率	99%
	測試時間	<6s 完成所有操作，包括：上料、OCR識別、1次LIV 掃描、3次光譜掃描、下料、分類。

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