功率芯片測試
PB6400
KGD測試分選系統(tǒng)
特點
設(shè)計靈活
Handler部分與測試部分分離,可擴展性強多路并行測試
最多支持四個測試站,不同測試站支持不同測試條件與測試項目支持動靜態(tài)參數(shù)測試
支持 2000V/200A 靜態(tài)測試,2000V/1500A 動態(tài)測試溫度穩(wěn)定性高
測試溫度范圍:RT~185℃,高溫溫度穩(wěn)定性≤±3℃,分辨率 0.1℃加電針卡采用氣密設(shè)計
支持惰性氣體保護以防高壓打火支持六面外觀檢查
UPH能力>900PCS
單站測試時間≤1s系統(tǒng)功能豐富
軟件實現(xiàn)數(shù)據(jù)MAP功能,可以進行硬 Bin分檔
類型 |
參數(shù) |
指標(biāo) |
備注 |
基本參數(shù) |
適用裸Die尺寸 |
3*3mm-8*8mm |
|
適用裸Die厚度 |
100-400um |
|
|
綜合搬運精度 |
±30um |
|
|
控溫能力 |
溫度范圍 |
室溫~185℃ |
|
溫度分辨率 |
0.1℃ |
|
|
溫度穩(wěn)定性 |
≤±3℃ |
|
|
視覺檢測能力 |
外觀檢測精度 |
≥12um |
要求缺陷成像灰度與周邊對比度超過40以上 |
缺陷檢測項目 |
正面/背面:劃痕、臟污、異物、炸點、缺角、崩邊 |
|
|
側(cè)面:崩邊 |
|
||
穩(wěn)定性 |
MTBF |
>168H |
|
MTBA |
>2H |
|
|
MTTA |
5 min |
|
|
MTTR |
< 30 min |
|
|
掉料率 |
≤0.01% |
|
|
碎片率 |
≤0.01% |
搬運造成 |
|
針痕深度 |
≤2um |
|
|
Drain極開爾文 |
≤2Ω |
TiNiAg材質(zhì) |
|
測試效率 |
單軌 |
≥500 |
測試時間≤1s |
雙軌并測 |
≥900 |
測試時間≤1s |
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