功率芯片測(cè)試
PB6600
SiC KGD測(cè)試分選系統(tǒng)
特點(diǎn)
裝置分離、強(qiáng)擴(kuò)展性
上下料部分的處理裝置與測(cè)試部分分離，擴(kuò)展性極強(qiáng)
六路并行測(cè)試
最多支持6個(gè)測(cè)試站，
支持動(dòng)態(tài)、靜態(tài)測(cè)試
靜態(tài)測(cè)試 2000V/600A ,
測(cè)試結(jié)果精準(zhǔn)
室溫 ~ 200 ℃：精度＜±3℃，
采用hard docking
系統(tǒng)雜散電感≤50nH
氮?dú)鈮毫z測(cè)
探針卡采用密封腔設(shè)計(jì)，防止電弧產(chǎn)生
UPH能力超過(guò)1400pcs
單測(cè)試站測(cè)試時(shí)間≤1秒
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類型 |
參數(shù) |
指標(biāo) |
備注 |
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基本參數(shù) |
適用裸Die尺寸 |
3*3mm-8*8mm |
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適用裸Die厚度 |
100-400um |
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綜合搬運(yùn)精度 |
±30um |
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控溫能力 |
溫度范圍 |
室溫~185℃ |
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溫度分辨率 |
0.1℃ |
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溫度穩(wěn)定性 |
≤±3℃ |
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視覺(jué)檢測(cè)能力 |
外觀檢測(cè)精度 |
≥12um |
要求缺陷成像灰度與周邊對(duì)比度超過(guò)40以上 |
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缺陷檢測(cè)項(xiàng)目 |
正面/背面：劃痕、臟污、異物、炸點(diǎn)、缺角、崩邊 |
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側(cè)面：崩邊 |
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||
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穩(wěn)定性 |
MTBF |
>168H |
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MTBA |
>2H |
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MTTA |
5 min |
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MTTR |
< 30 min |
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掉料率 |
≤0.01% |
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碎片率 |
≤0.01% |
搬運(yùn)造成 |
|
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針痕深度 |
≤2um |
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Drain極開(kāi)爾文 |
≤2Ω |
TiNiAg材質(zhì) |
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測(cè)試效率 |
單軌 |
≥500 |
測(cè)試時(shí)間≤1s |
|
雙軌并測(cè) |
≥900 |
測(cè)試時(shí)間≤1s |
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光通信網(wǎng)絡(luò)作為信息通信的基礎(chǔ)設(shè)施，對(duì)我國(guó)大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、5G通信等市場(chǎng)的快速發(fā)展起重要的承載支撐作用，聯(lián)訊儀器光通訊儀表深度覆蓋光模塊光器件等核心產(chǎn)品的測(cè)試測(cè)量，包括采樣示波器，誤碼儀，波長(zhǎng)計(jì)，光譜儀，流量?jī)x以及通用光測(cè)量?jī)x表等，提供經(jīng)濟(jì)高效的完整解決方案。
Details
半導(dǎo)體前道檢測(cè)主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。聯(lián)訊儀器提供晶圓老化及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試機(jī)等集成解決方案，打破了國(guó)外企業(yè)的長(zhǎng)期壟斷，不斷提升國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口替代率。
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