脈沖源
S3026P
單通道PXIe脈沖電流源/測(cè)量單元
聯(lián)訊儀器S3026P 是針對(duì)激光通信、激光雷達(dá)市場(chǎng)推出的一款標(biāo)準(zhǔn)單通道脈沖電流源/測(cè)量單元，支持高精度脈沖電流輸出，支持脈沖電流和DUT壓降的同步測(cè)量。
特點(diǎn)
脈寬：最小3us，最大500us
適用于更高速的被測(cè)器件，更好規(guī)避溫度對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響
高速測(cè)量
高達(dá)100MSa/s的ADC
大量程
±1.5A；10V
更強(qiáng)的負(fù)載適應(yīng)性
測(cè)試不同特性的負(fù)載，波形不發(fā)生過(guò)沖等畸變
高速同步
多通道、多機(jī)型協(xié)同測(cè)量
實(shí)時(shí)讀取脈沖電流的DUT壓降
無(wú)需額外設(shè)備，精確監(jiān)控當(dāng)前測(cè)試條件，實(shí)時(shí)回讀測(cè)試結(jié)果技術(shù)指標(biāo)
工作條件：
溫度23℃±5℃
相對(duì)濕度＜70% 無(wú)冷凝
脈沖電流源規(guī)格（與DC電壓源不能同時(shí)使用）
|
電流精度 |
量程 |
設(shè)置分辨率 |
精度 |
|
±150mA |
20uA |
0.1%+0.2mA |
|
|
±750mA |
20uA |
0.1%+0.3mA |
|
|
±1.5A |
40uA |
0.1%+0.8mA |
|
|
電流噪聲 |
量程 |
噪聲典型值（阻性負(fù)載，RMS） |
|
|
±150mA |
1mA |
||
|
±750mA |
1mA |
||
|
±1.5A |
1mA |
||
|
最大負(fù)載壓降 |
10V |
||
|
脈寬分辨率 |
80ns |
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|
最大脈寬Ton-max |
500us |
||
|
最小脈寬Ton-min |
3us |
||
|
脈沖最小關(guān)斷時(shí)間Toff-min |
100us |
||
|
脈寬精度 |
100ns① |
||
|
脈寬抖動(dòng) |
80ns（典型值） |
||
|
脈沖周期抖動(dòng) |
500ns（典型值） |
||
|
上升時(shí)間（10%-90%） |
＜400ns②③④ |
||
|
脈沖超調(diào) |
＜0.5%②③④ |
||
|
電流調(diào)整率 |
線性調(diào)整率 |
0.05%量程 |
|
|
負(fù)載調(diào)整率 |
±100uA |
||
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占空比限制[5] |
D≤50%；且滿足以下條件： D＜3-(|Ibias|)/[（Vsp-Vload）*（|Iset|-|Ibias|）] |
||
|
單次掃描最大脈沖數(shù) |
64k |
||
[1] 偏置電流＞1mA；
[2] 輸出線短接情況下測(cè)試；
[3] 輸出線與 DUT 整體電感＜200nH（100k）；
[4] 脈寬測(cè)量從上升沿 10%至下降沿 90%；
[5] Iset：設(shè)定電流；D：占空比；Vsp：源保護(hù)電壓；Vload：負(fù)載壓降；
脈沖源測(cè)量規(guī)格
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PULSE 電壓 測(cè)量 |
量程 |
顯示分辨率 |
精度 |
采樣速率⑥ |
|
6V |
1mV |
0.1%+22mV |
100MSa/s |
|
|
10V |
1.5mV |
0.1%+24mV |
||
|
PULSE 電流 測(cè)量 |
量程 |
顯示分辨率 |
精度 |
采樣速率 |
|
150mA |
40uA |
0.1%+1mA |
100Msa/s |
|
|
750mA |
100uA |
0.1%+3mA |
||
|
1.5A |
200uA |
0.1%+7mA |
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Sense端限制（PULSE電壓測(cè)量） |
HI 與 SENSE HI 之間的最大電壓 =±10v； |
|||
[6] 采樣速率為用戶端可以使用的最大采樣速率；
DC電壓源規(guī)格（與脈沖電流源不能同時(shí)使用）
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電壓源（DC） |
量程 |
設(shè)置分辨率 |
精度 |
紋波（RMS） |
最大輸出電流 |
|
±10V |
1mV |
0.1%+1.5mV |
＜5.5mV |
10mA |
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電流測(cè)量（DC） |
量程 |
顯示分辨率 |
精度 |
采樣速率 |
正常采樣速度 |
|
100uA |
30nA |
0.1%+0.5uA |
100MSa/s |
10NPLC |
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|
100nA |
30pA |
0.1%+0.5nA |
|||
|
電壓測(cè)量（DC） |
量程 |
顯示分辨率 |
精度 |
采樣速率 |
|
|
±10V |
1.5mV |
0.1%+15mV |
100MSa/s |
||
|
Sense 端限制 |
HI 與 SENSE HI 之間的最大電壓 =±1v； |
||||
偏置電流源規(guī)格
|
電流精度 |
量程 |
最大電流 |
設(shè)置分辨率 |
精度 |
|
|
±0.15A |
50mA |
20uA |
0.1%+0.2mA |
||
|
±0.75A |
20uA |
0.1%+0.2mA |
|||
|
±1.5A |
40uA |
0.1%+0.2mA |
|||
|
電流噪聲 |
噪聲典型值（阻性負(fù)載，RMS） |
||||
|
＜1mA |
|||||
觸發(fā)信號(hào)規(guī)格
|
信號(hào)電平 |
延遲 （Type[7][8][9]） |
觸發(fā)模式 |
|
|
Trig_IN/OUT |
5V |
400ns |
上升沿 |
[7]輸出線短接情況下測(cè)試；
[8]輸出電流＞100mA；
[9]偏置電流＞1mA；
同類(lèi)推薦
光通信網(wǎng)絡(luò)作為信息通信的基礎(chǔ)設(shè)施，對(duì)我國(guó)大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、5G通信等市場(chǎng)的快速發(fā)展起重要的承載支撐作用，聯(lián)訊儀器光通訊儀表深度覆蓋光模塊光器件等核心產(chǎn)品的測(cè)試測(cè)量，包括采樣示波器，誤碼儀，波長(zhǎng)計(jì)，光譜儀，流量?jī)x以及通用光測(cè)量?jī)x表等，提供經(jīng)濟(jì)高效的完整解決方案。
Details
半導(dǎo)體前道檢測(cè)主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。聯(lián)訊儀器提供晶圓老化及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試機(jī)等集成解決方案，打破了國(guó)外企業(yè)的長(zhǎng)期壟斷，不斷提升國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口替代率。
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