高精度臺(tái)式源表
S2024H
24通道精密電源/測(cè)量單元
聯(lián)訊儀器S2024H精密電源/測(cè)量單元是緊湊、經(jīng)濟(jì)高效的24通道臺(tái)式電源/測(cè)量單元(SMU)，能夠同時(shí)輸出并測(cè)量電壓和電流，能夠提供最大±4.5V、±10 mA（直流/脈沖）輸出以及卓越的彩色LCD圖形用戶界面(GUI)。
特點(diǎn)
高量程
量程：±4.5 V、±10 mA（直流、脈沖）
高分辨率
最小測(cè)量分辨率可達(dá)10 pA/1 μV
高采樣率
最高可支持1M的ADC采樣率
閾值觸發(fā)
硬件高速IO，可實(shí)現(xiàn)閾值觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)輸出測(cè)量值和用戶系統(tǒng)的高效交互|
電壓精度 |
量程 |
測(cè)量分辨率 |
精度(1年) ±(%讀數(shù)+ 偏置) |
典型噪聲(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
|
±4.5V |
1 uV |
0.02%+100μV |
50 uV |
|
|
溫度系數(shù) |
±(0.15 × 精度指標(biāo))/℃ (0℃-18℃， 28℃-50℃) |
|||
|
設(shè)置時(shí)間 |
<100 μs (典型值) |
|||
|
過沖 |
<±0.1% (典型值，Normal，步進(jìn)是范圍的 10% 至 90%，滿量程點(diǎn)，電阻性負(fù)載測(cè)試) |
|||
|
電流精度 |
量程 |
測(cè)量分辨率 |
精度(1年) ±(% 讀數(shù)+偏置) |
典型噪聲(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
|
±10 mA |
10nA |
0.05%+5μA |
20 nA |
|
|
±1 mA |
1nA |
0.05%+500nA |
10 nA |
|
|
±100 μA |
100 pA |
0.05%+50nA |
1nA |
|
|
±10 μA |
10 pA |
0.05%+5nA |
100 pA |
|
|
溫度系數(shù) |
±(0.15 × 精度指標(biāo))/℃ (0℃-18℃，28℃-50℃) |
|||
|
設(shè)置時(shí)間 |
<2ms (典型值) |
|||
|
過沖 |
<±0.1% (典型值，Normal，步進(jìn)是范圍的 10% 至 90%，滿量程點(diǎn)，電阻性負(fù)載測(cè)試) |
|||
1，1，所有通道輸出與大地電氣隔離，但各通道輸出共地(LO)
|
最小可編程脈寬 |
250 μs |
|
脈寬編程分辨率 |
1 μs |
|
脈寬編程精度 |
±10 μs |
|
脈寬抖動(dòng) |
2 μs |
|
脈沖寬度定義 |
如下圖所示，從 10 % 前沿到 90 % 后沿的時(shí)間 |
|
輸出 |
最大輸出 |
典型上升時(shí)間1 |
典型穩(wěn)定時(shí)間2 |
測(cè)試負(fù)載 |
|
電壓源 |
4.5 V |
100 μs |
200 μs |
空載 |
|
電流源 |
10mA |
60 μs |
100 μs |
帶滿載3 |
|
1mA |
800 μs |
1 ms |
帶滿載3 |
|
|
100uA |
120 μs |
180 μs |
帶滿載3 |
|
|
10 μA |
1.5 ms |
2 ms |
帶滿載3 |
1，脈沖前沿從10%到90% 所需的時(shí)間。
2，脈沖達(dá)到距離最終值1%的所需的時(shí)間。
3，測(cè)試條件：normal純阻滿載電壓上升到4.5V
|
配置方式 |
配置范圍 |
|
NPLC |
0.00005PLC ~ 10PLC |
|
Sampling Rate |
5sps ~ 1.0Msps |
誤差增加量程的百分比
|
PLC |
量程 |
||||
|
4.5V |
10uA |
100μA |
1mA |
10mA |
|
|
0.1 |
0.01% |
0.02% |
0.01% |
0.02% |
0.01% |
|
0.01 |
0.3% |
0.2% |
0.04% |
0.04% |
0.02% |
|
0.001 |
3.2% |
2.5% |
0.4% |
0.3% |
0.03% |
| 接口 | USB 主機(jī)接口 | ||||
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Details
半導(dǎo)體前道檢測(cè)主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。聯(lián)訊儀器提供晶圓老化及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試機(jī)等集成解決方案，打破了國外企業(yè)的長(zhǎng)期壟斷，不斷提升國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口替代率。
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