晶圓級可靠性
WLR0200
Single-site晶圓級可靠性測試設(shè)備
特點(diǎn)
耐高溫
探針臺溫度高達(dá)300℃
支持4~12寸晶圓
采用MPI定制化高溫半自動探針臺
測試頻率高達(dá)1MHZ
采用高精度高頻率的電容測試儀表
自主研發(fā)
測試源表采用聯(lián)訊儀器自研的高精度SMU
多測量模式
支持TDDB/HCI/QBD/BTI/AC BTI/CV/Vth測量
曲線實(shí)時顯示
可以實(shí)時呈現(xiàn)晶圓MAP圖和測試曲線
氮?dú)獗Ｗo(hù)，防止氧化
（非保壓式）| 項(xiàng)目 | WLR0200 | ||
| 系統(tǒng) | 設(shè)備尺寸（W x D x H） | 1100mm x 1150mm x 2000mm | |
| 系統(tǒng)功率 | 2KVA | ||
| DUT 數(shù)量 | 1 Wafer | ||
| MES系統(tǒng)接口 | 支持定制開發(fā)對接客戶的MES系統(tǒng)和數(shù)據(jù) | ||
| OS | WLR_OS @Windows 10 | ||
| 測試監(jiān)控器 | OS | Windows 10 | |
| CPU | I7-8700 | ||
| 存儲 | 16GB @DDR4 | ||
| HDD | 1T SSD | ||
| 以太網(wǎng) | 10/100/1000base-TX x2 | ||
| 顯示器 | 21.5 Inch Wide Monitor | ||
| Z1-PLUS | 晶圓尺寸 | Up to 12 inch | |
| X-Y Movement | Travel | 260mm(X) /280mm(Y) | |
| 探針臺 | Resolution | 0.1μm(X) /0.1μm (Y) | |
| Repeatability | 1.5μm | ||
| Z Movement | Travel | 10mm | |
| Resolution | 0.1μm | ||
| Repeatability | ±1μm | ||
| Theta Movement | Travel | ±7.5° | |
| Resolution | 0.0004° | ||
| 溫度 | 溫度范圍 | RT~300℃ | |
| 溫度均勻性 | ±1.5℃@300℃ | ||
| 項(xiàng)目 | WLR0200 | ||
| 電壓、電流測量 | 晶圓尺寸 | Up to 8 inch | |
| 電流精度 | ±150m A | 0.2% + 25 μA | |
| ±15m A | 0.2% + 5 μA | ||
| ±1.5m A | 0.2% + 150nA | ||
| ±150μ A | 0.2% + 20nA | ||
| ±15μ A | 0.2% + 3nA | ||
| ±1.5μ A | 0.3% + 600pA | ||
| ±150n A | 0.5% + 300pA | ||
| 電壓精度 | ±200 V | 0.2% + 40 mV | |
| ±20 V | 0.2% + 5 mV | ||
| QBD | ±10m A | 0.2% +2 μA | |
| ±1m A | 0.2% +100nA | ||
| ±100μ A | 0.2% + 20nA | ||
| ±10μ A | 0.2% + 2nA | ||
| AC BTI | ±55 V | 0.5% + 10 mV@500KHz | |
| ±10 V | 0.5% + 2 mV@500KHz | ||
| ±1 V | 0.5% + 1 mV@500KHz | ||
| LCR參數(shù) | 測量參數(shù) | Cs-D, Cs-Q, Cs-Rs，Cp-D, Cp-Q, Cp-Rp, Cp-G | |
| 頻率 | 120 Hz, 1 kHz, 1 MHz | ||
| 測量精度 | 120 Hz (@ 100 uF, 0.5 V) | C: 0.085%, D: 0.00065 | |
| 1 kHz (@ 10 nF, 1 V) | C: 0.07%, D: 0.0005 | ||
| 1 MHz (@ 10 pF, 1 V) | C: 0.07%, D: 0.0005 | ||
| 線纜長度 | 0m，1m，2m | ||
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Details
半導(dǎo)體前道檢測主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，半導(dǎo)體后道測試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測。聯(lián)訊儀器提供晶圓老化及半導(dǎo)體參數(shù)測試機(jī)等集成解決方案，打破了國外企業(yè)的長期壟斷，不斷提升國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口替代率。
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