ICC訊中國光通信產(chǎn)業(yè)自主半導(dǎo)體激光芯片近年來發(fā)展迅速,已經(jīng)建成了數(shù)十條半導(dǎo)體激光器芯片生產(chǎn)線,其檢測需求達(dá)到幾十億甚至上百億顆的量級。
芯片良率是影響企業(yè)成本的重要因素之一,半導(dǎo)體激光器屬于化合物半導(dǎo)體,其主要材質(zhì)以非常脆的砷化鎵、磷化銦為主,在其制備的各個工藝環(huán)節(jié),良品率不高是一個普遍問題。以國外知名芯片企業(yè)為例,其生產(chǎn)能達(dá)到70%以上良率,但后道封裝以及最終產(chǎn)品嚴(yán)格判定標(biāo)準(zhǔn)等累計具有30%良率的損失。良品率不高,就需要專用的測試裝備對不良品進行篩選,國內(nèi)在此領(lǐng)域原先一直停留在低端的Bar條測試,因為bar條測試后的芯片需要二次裂片,中間環(huán)節(jié)各種因素對于苛刻的高端芯片又會導(dǎo)致3-5%的良率損失。隨著半導(dǎo)體激光器芯片速率越來越高,后道封裝存在芯片尺寸更小及工藝更復(fù)雜的趨勢,而這些二次損傷的芯片被作為良品流入后道封裝環(huán)節(jié),會帶來了巨大的成本支出,從而提高了成品器件的生產(chǎn)成本。另外半導(dǎo)體激光器芯片對溫度非常敏感,Bar條在測試臺上的接觸因為不能完全滿足芯片在高溫測試條件下散熱的要求,重復(fù)測試GRR不能保證。因此,國內(nèi)外廠家都已經(jīng)逐步從低端的Bar條測試轉(zhuǎn)向高端的裸Die半導(dǎo)體激光器芯片測試。
而中國大陸此類高端測試設(shè)備,原先幾乎全部被進口壟斷。在中美貿(mào)易戰(zhàn)的背景下,這些進口設(shè)備對國內(nèi)300家實體名單公司禁售或限售,阻礙了中國自主光電芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
為了滿足國內(nèi)市場的新增需求,聯(lián)訊儀器基于自身在激光器芯片測試技術(shù)和核心測試儀表開發(fā)上積累的豐富經(jīng)驗,經(jīng)過多年的潛心研發(fā)、自主創(chuàng)新和迭代,聯(lián)訊儀器實現(xiàn)了多項核心技術(shù)的突破,于2020年率先推出國產(chǎn)化半導(dǎo)體激光器芯片常高溫測試機CT8201樣機,打破國外壟斷。CT8201于2021年3月正式量產(chǎn),緊接著又推出了滿足工業(yè)級低溫測試要求的芯片測試機CT8203。
聯(lián)訊儀器的激光器芯片測試機是光芯片測試的關(guān)鍵核心高端裝備,它是集光、機、電、軟、算于一體復(fù)雜系統(tǒng),通過集成芯片ID掃描、上料、運輸、高/低溫控制、測試、下料、分揀歸類功能單元,可以適應(yīng)不同類型半導(dǎo)體激光器(DFB、EML、EML+SOA)裸Die芯片及CoC芯片電氣和光學(xué)特性進行檢測、判定與分選。
聯(lián)訊儀器的芯片測試機在早期驗證階段,已經(jīng)通過了國內(nèi)多個客戶的嚴(yán)格、高負(fù)荷驗證,連續(xù)測試5000顆芯片無拋料現(xiàn)象,同時與進口設(shè)備進行對標(biāo),各項測試性能指標(biāo)與生產(chǎn)良率滿足客戶要求,甚至部分指標(biāo)優(yōu)于進口設(shè)備,最終得到客戶的一致認(rèn)可。
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