功率芯片測試
PB6600
SiC KGD測試分選系統(tǒng)
特點
裝置分離、強擴展性
上下料部分的處理裝置與測試部分分離,擴展性極強六路并行測試
最多支持6個測試站,支持動態(tài)、靜態(tài)測試
靜態(tài)測試 2000V/600A ,測試結果精準
室溫 ~ 200 ℃:精度<±3℃,采用hard docking
系統(tǒng)雜散電感≤50nH氮氣壓力檢測
探針卡采用密封腔設計,防止電弧產生UPH能力超過1400pcs
單測試站測試時間≤1秒
類型 |
參數(shù) |
指標 |
備注 |
基本參數(shù) |
適用裸Die尺寸 |
3*3mm-8*8mm |
|
適用裸Die厚度 |
100-400um |
|
|
綜合搬運精度 |
±30um |
|
|
控溫能力 |
溫度范圍 |
室溫~185℃ |
|
溫度分辨率 |
0.1℃ |
|
|
溫度穩(wěn)定性 |
≤±3℃ |
|
|
視覺檢測能力 |
外觀檢測精度 |
≥12um |
要求缺陷成像灰度與周邊對比度超過40以上 |
缺陷檢測項目 |
正面/背面:劃痕、臟污、異物、炸點、缺角、崩邊 |
|
|
側面:崩邊 |
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||
穩(wěn)定性 |
MTBF |
>168H |
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MTBA |
>2H |
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MTTA |
5 min |
|
|
MTTR |
< 30 min |
|
|
掉料率 |
≤0.01% |
|
|
碎片率 |
≤0.01% |
搬運造成 |
|
針痕深度 |
≤2um |
|
|
Drain極開爾文 |
≤2Ω |
TiNiAg材質 |
|
測試效率 |
單軌 |
≥500 |
測試時間≤1s |
雙軌并測 |
≥900 |
測試時間≤1s |
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