激光器測(cè)試
CT8203
低溫芯片測(cè)試機(jī)
CT8203 支持激光器前向/后向光電測(cè)試以及前向光光譜測(cè)試。支持兩個(gè)溫區(qū)測(cè)試：兩個(gè)測(cè)試平臺(tái)以支持低溫/常溫并行測(cè)試。
CT8203 測(cè)試效率非常高，可以在6.5s（1次LIV+3次光譜）內(nèi)完成上述6個(gè)流程。非常適合大批量量產(chǎn)應(yīng)用。系統(tǒng)采用偏心凸輪結(jié)構(gòu)、高精度直線電機(jī)、高重復(fù)性步進(jìn)電機(jī)計(jì)、高精密夾具、高穩(wěn)定性加電探針以及高導(dǎo)熱載臺(tái)，使其具有超高的精度和穩(wěn)定性。
特點(diǎn)
全自動(dòng)化、智能化集成解決方案
高度集成全自動(dòng)化解決方案，覆蓋非常復(fù)雜的測(cè)試流程
高效率
提升效率，減少人為參與的潛在風(fēng)險(xiǎn)
維護(hù)升級(jí)非常簡(jiǎn)單
所有機(jī)構(gòu)件可以獨(dú)立返廠
方便使用
自動(dòng)告警狀態(tài)和提示顯示，功能與優(yōu)勢(shì)
全自動(dòng)化、智能化集成解決方案
上料模組
本模組由頂針Z模組，X/Y運(yùn)動(dòng)模組，藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)模組4個(gè)子功能模塊組成，左側(cè)為校準(zhǔn)用底部相機(jī)，搭配上方識(shí)別相機(jī)，和吸嘴運(yùn)動(dòng)模組，實(shí)現(xiàn)Chip 的取料功能。
Chip包裝的兼容模式： 1個(gè)6寸擴(kuò)晶環(huán)。
高/低溫測(cè)試模組
本模組由直線運(yùn)動(dòng)模組實(shí)現(xiàn)Chip XYθ三個(gè)自由度的校準(zhǔn)，3軸收光探測(cè)模組組成，搭配模組上方的ID/位置識(shí)別相機(jī)，和探針加電調(diào)整模組，完成上料后位置角度的校準(zhǔn)工作，和Chip測(cè)試加電工作。PD/準(zhǔn)直器使用運(yùn)動(dòng)軸實(shí)現(xiàn)功能快速切換。
測(cè)試臺(tái)溫度可根據(jù)工藝獨(dú)立設(shè)定，溫度穩(wěn)定性<±0.2℃。
相機(jī)、探針加電模組
設(shè)備右側(cè)上料相機(jī)搭配上料模組，完成Chip的上料識(shí)別功能（可根據(jù)來(lái)料需求搭配不同功能組件），測(cè)試模組上方的相機(jī)（設(shè)備中部），在Chip的上料動(dòng)作完成后，通過(guò)多次拍照搭配3軸運(yùn)動(dòng)模組，完成Chip的位置校準(zhǔn)（相機(jī)同步完成 Chip的ID識(shí)別）。
探針加電模組，每組搭配最多3組探針（可選配背光PD子功能模組），不同組合搭配，可實(shí)現(xiàn)DFB / EML、EML+SOA產(chǎn)品的 LIV、EA、光譜等相關(guān)參數(shù)的測(cè)試。
下料分檔模組
下料模組配置4個(gè)載盤(pán)放置區(qū)域，可支持4個(gè)6寸藍(lán)膜，或者根據(jù)客戶需求定制兼容的下料載具。
| 參數(shù)類型 | 參數(shù)名稱 | 參數(shù)指標(biāo) |
| 系統(tǒng)功能 | 支持產(chǎn)品類型 | 兼容客戶指定的DFB、EML以及EML+SOA Die測(cè)試（根據(jù)DFB與EML腔長(zhǎng)尺寸差異，測(cè)試載臺(tái)可選擇兼容或不兼容） |
| 測(cè)試項(xiàng)目 | 激光器前光與背光LIV，EML消光比與光譜測(cè)試 | |
| 測(cè)試溫區(qū)數(shù) | 2個(gè)溫區(qū) | |
| ID識(shí)別 | 支持Chip ID識(shí)別 | |
| 芯片尺寸 | 長(zhǎng)&寬≥150 μm，高≥80~150 μm |
|
| 吸嘴結(jié)構(gòu) | 特殊設(shè)計(jì)的吸嘴結(jié)構(gòu)，先從料盒剝離，然后吸起 | |
| 測(cè)試參數(shù) | Ith, Se, Iop, Pf, Vf,I r, PKink, Ikink, Rd, Pmax, IRoll, ER,λc, SMSR 等近百項(xiàng)參數(shù)，可根據(jù)需求進(jìn)行增刪 | |
| 上料料盒 | 支持1個(gè)6英寸藍(lán)膜 | |
| 下料料盒 | 支持4個(gè)6英寸藍(lán)膜 | |
| 下料分檔 | 根據(jù)識(shí)別和測(cè)試結(jié)果將物料分類，物料分類條件可根據(jù)客戶需求在軟件進(jìn)行編輯 | |
| CDA要求 | >600 L/min（如果小于此流量將影響降露點(diǎn)速度） | |
| 電參數(shù) | 源表類型 | 聯(lián)訊自研高精度源表或其他指定類型 |
| 源表數(shù)量 | DFB激光器3臺(tái)雙通道源表，EML激光器4臺(tái)雙通道源表，EML+SOA激光器5臺(tái)雙通道源表 | |
| 加電類型 | 支持CW與Pulse方式加電 | |
| DC電流源范圍 | 3A, 1A, 100mA, 10mA, 1mA, 100μA | |
| 最小電源分辨率 | 20μA, 5μA, 500nA, 50nA, 5nA, 500pA | |
| 最小測(cè)量精度 | 0.03%+50 nA | |
| DC電壓源范圍 | 30V, 10V, 1V | |
| 電壓分辨率 | 100μV, 10μV, 1μV | |
| 最小電壓測(cè)量精度 | 0.02%+1 mV | |
| 最小脈寬 | 250 μs | |
| 正常操作下沖 | 沒(méi)有EOS | |
| 正常操作上沖 | 沒(méi)有EOS | |
| 異常操作下沖 | 沒(méi)有EOS | |
| 異常操作上沖 | 沒(méi)有EOS | |
| 光參數(shù) | 探測(cè)器類型 | Ge |
| 光功率探測(cè)波長(zhǎng)范圍 | 800-1700 nm | |
| 光功率測(cè)量范圍 | 10 μW-25 mW(>25 mW可增加衰減片測(cè)量) | |
| 光譜測(cè)試波長(zhǎng)范圍 | 客戶提供光譜儀或橫河AQ6360 | |
| 光譜測(cè)試精度 | 客戶提供光譜儀或橫河AQ6360 | |
| EA DCER精度 | ±0.2 dB | |
| 溫度 | 控溫方法 | TEC+水冷（帶露點(diǎn)監(jiān)控，露點(diǎn)可到-70℃以內(nèi)） |
| 溫度范圍 | -40~95 ℃ | |
| 溫度升溫速度 | 室溫升到90℃ < 5分鐘 | |
| 溫度下降速度 | 室溫降到-40℃ < 10分鐘 | |
| 溫度精度 | ±0.5 ℃ | |
| 溫度穩(wěn)定性 | ±0.2 ℃ | |
| 系統(tǒng)指標(biāo) | Ith重復(fù)性 | ±1% |
| Power重復(fù)性 | ±2% | |
| 波長(zhǎng)重復(fù)性 | <±0.2 nm | |
| SMSR 重復(fù)性 | <3 dB | |
| ID識(shí)別一次成功率 | >99.5% | |
| 測(cè)試時(shí)間 | 6.5 s內(nèi)完成所有操作(EML芯片根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目不同會(huì)有差異) |
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光通信網(wǎng)絡(luò)作為信息通信的基礎(chǔ)設(shè)施，對(duì)我國(guó)大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、5G通信等市場(chǎng)的快速發(fā)展起重要的承載支撐作用，聯(lián)訊儀器光通訊儀表深度覆蓋光模塊光器件等核心產(chǎn)品的測(cè)試測(cè)量，包括采樣示波器，誤碼儀，波長(zhǎng)計(jì)，光譜儀，流量?jī)x以及通用光測(cè)量?jī)x表等，提供經(jīng)濟(jì)高效的完整解決方案。
Details
半導(dǎo)體前道檢測(cè)主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。聯(lián)訊儀器提供晶圓老化及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試機(jī)等集成解決方案，打破了國(guó)外企業(yè)的長(zhǎng)期壟斷，不斷提升國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口替代率。
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