4月25日，由臺(tái)灣電子設(shè)備協(xié)會(huì)聯(lián)手國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)工學(xué)院共同舉辦的第三屆化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇在臺(tái)北南港展覽館圓滿落下帷幕。本屆論壇旨在推動(dòng)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在臺(tái)灣的前進(jìn)，邀請(qǐng)了海內(nèi)外重量級(jí)講師就“化合物半導(dǎo)體”的應(yīng)用市場(chǎng)、制造設(shè)備、測(cè)試設(shè)備以及第四代化合物半導(dǎo)體等相關(guān)話題進(jìn)行交流。

聯(lián)訊儀器市場(chǎng)副總林甲威作為特邀嘉賓參加了本次論壇，發(fā)表《Semight Turn-Key Solution for SiC Test and Reliability》的專(zhuān)題演講，分享聯(lián)訊儀器在SiC測(cè)試方面的完整方案和專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)。

                                                             （聯(lián)訊儀器市場(chǎng)副總 林甲威）

本屆論壇主題為“化合物半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)了ROHM、SiCEV、Coherent、Infineon、Yole Intelligence等各國(guó)大廠專(zhuān)家，針對(duì)新世代化合物半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)提供專(zhuān)業(yè)資訊。根據(jù)專(zhuān)業(yè)人士預(yù)測(cè)，SiC產(chǎn)業(yè)在2023——2029年間，以25%的年復(fù)合成長(zhǎng)率快速增長(zhǎng)，中國(guó)產(chǎn)能占比將大幅提升。

眾所周知，SiC 具有很強(qiáng)的擊穿力場(chǎng)和更高的導(dǎo)熱率，使得器件可以在高電壓和高達(dá)175℃的環(huán)境下高效運(yùn)轉(zhuǎn)。但目前SiC制造存在很明顯的可靠性問(wèn)題。比如較多的外在缺陷，閾值電壓的漂移，SiC MOSFET 的短路能力、雙極退化減少SiC器件的有源面積等等。

多年來(lái)，聯(lián)訊儀器深耕SiC制造與測(cè)試流程中的核心領(lǐng)域，堅(jiān)持核心儀表自主研發(fā)，接連推出高壓串行參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)WAT6300、晶圓級(jí)老化系統(tǒng)WLBI3800、 KGD測(cè)試分選機(jī)PB6400、Multi-site晶圓級(jí)可靠性測(cè)試設(shè)備 WLR0010等SiC相關(guān)測(cè)試設(shè)備，為SiC材料的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用提供了全方位的交鑰匙解決方案。

聯(lián)訊儀器長(zhǎng)期保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入，現(xiàn)有研發(fā)及生產(chǎn)場(chǎng)地超過(guò)20000㎡，研發(fā)人員占比超過(guò)50%，研發(fā)投入占比達(dá)到30%，是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC晶圓老化、KGD測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商，為我國(guó)解決高端測(cè)試儀器設(shè)備“卡脖子”問(wèn)題做出卓越貢獻(xiàn)。