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硅光晶圓測試

sCT9001

硅光晶圓測試機


聯(lián)訊儀器 sCT9001 全自動硅光晶圓測試機,具有測試精度高、測試穩(wěn)定性好以及靈活的可擴展性,適用于實驗室驗證與量產(chǎn)測試。

特點

  • 自動/半自動

    支持全自動與半自動方式上下晶圓片
  • 晶圓尺寸

    支持6/8寸晶圓(可定制4寸、12寸)
  • 測試溫度

    支持測試溫度范圍室溫~150 ℃(其它溫度可定制)
  • 測試功能

    支持光光測試,光電測試,電電參數(shù)測試
  • DC/AC

    支持DC與AC測試
  • 光柵耦合

    支持光柵、FA耦合以及邊緣耦合
  • 高效率

    針對不同類型芯片,支持快速更換不同類型針卡
  • 軟件功能

    軟件支持增加客戶數(shù)據(jù)庫與MES功能

功能與優(yōu)勢

  • 高精度探針臺

    ?晶圓上料模式支持全自動模式與半自動模式作業(yè),適用于實驗室驗證與大規(guī)模量產(chǎn)使用;
    ?全閉環(huán)高精度運動控制系統(tǒng),自動精度補償,定位精度高達3um;
    ?特殊機構設計與校準系統(tǒng)確保晶圓片在Chuck上具有更高的平面度與探針Z方向的垂直度;
    ?配置高清變倍CCD,加電PAD清晰可見,且能同時顯示低倍與高倍多視野畫面。
    ?內(nèi)置一體化防震設計,且可隔離外部震動,確保良好的測試穩(wěn)定性;
  • 耦合測試模組:

    ?耦合測試模組包含耦合光探針、DC直流探針與RF射頻探針;
    ?光探針支持單路耦合與雙路耦合;
    ?光探針帶有高精度測高儀,確保不同芯片間入射光纖端面到芯片表面高度的一致性;
    ?光纖耦合模組由三維絲杠電機配合三維高精度壓電陶瓷模組組成,確保光路耦合效率與耦合重復性;
    ?采用標準高精度耦合控制器,全閉環(huán)控制+硬件同步,提高耦合精度與耦合速度;
    ?探針卡固定座的設計更加方便探針卡的更換,便于不同產(chǎn)品或不同測試項目實現(xiàn)快速更換探針卡;

測試參數(shù)


參數(shù)類型

測試參數(shù)

參數(shù)指標

定義

O/O

Insert Loss

dB/cm

插入傳輸損耗

Coupling Strength

%

耦合效率,DUT接收到的光功率與入射光功率的比值

Polarization Dependent Loss

dB

偏振相關損耗, 指傳輸光信號的偏振態(tài)在全偏振態(tài)變化時,不同偏振態(tài)通過DUT后最大功率與最小功率的比值

Wavelength Scan

dBm

全波長掃描

3dB bandwidth

Hz

3dB帶寬測試

O/E

PD Responsivity

A/W

PD響應度,PD探測器將接收到的光轉換成電流的效率

Modulator ER

dB

靜態(tài)消光比,調(diào)制器在不同偏置電壓下吸收后光功率的最大值與最小值的比值

E/E

PD Dark Current

nA

PD暗電流,在無光條件下對PD增加偏置電壓測得的反饋電流

Heat Resistance

Ω

熱阻抗



系統(tǒng)測試指標


序號

規(guī)格

指標

1

支持晶圓尺寸

6寸~8寸(可訂制4寸、12寸)

2

溫度范圍

RT~150℃

3

溫度均勻性

<±0.5℃

4

25℃→150℃

<15 mins

5

150℃→25℃

<30 mins (手動臺)

6

上下料方式

自動與手動

7

單次耦合時間

<2s(掃描軌跡長度<300μm)

8

耦合重復誤差

<0.2dB (單一通道)

9

測試類型

DC測試,可升級支持AC

10

測試項目

O/O,O/E,E/E

11

帶寬測試偏差

<1.5G

12

Wafer Map功能

可編輯且自動生成Map,且顯示每個Die坐標

13

分Bin功能

支持分Bin,多種顏色區(qū)別測試結果,且顯示不同顏色數(shù)量與比例

14

自動清針功能

支持

15

CCD自動聚焦功能

支持

16

相機監(jiān)控畫面

支持低倍與高倍畫面

17

EMI屏蔽

>20dB @1KHz-1MHz

18

光譜噪聲基底

≦150dBVrms/rtHz(≦1MHz)

19

系統(tǒng)AC噪聲

≦15mVp-p(≦1GHz)

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