特點
自動/半自動
支持全自動與半自動方式上下晶圓片晶圓尺寸
支持6/8寸晶圓(可定制4寸、12寸)測試溫度
支持測試溫度范圍室溫~150 ℃(其它溫度可定制)測試功能
支持光光測試,光電測試,電電參數(shù)測試DC/AC
支持DC與AC測試光柵耦合
支持光柵、FA耦合以及邊緣耦合高效率
針對不同類型芯片,支持快速更換不同類型針卡軟件功能
軟件支持增加客戶數(shù)據(jù)庫與MES功能功能與優(yōu)勢
高精度探針臺
?晶圓上料模式支持全自動模式與半自動模式作業(yè),適用于實驗室驗證與大規(guī)模量產(chǎn)使用;耦合測試模組:
?耦合測試模組包含耦合光探針、DC直流探針與RF射頻探針;測試參數(shù)
參數(shù)類型 |
測試參數(shù) |
參數(shù)指標 |
定義 |
O/O |
Insert Loss |
dB/cm |
插入傳輸損耗 |
Coupling Strength |
% |
耦合效率,DUT接收到的光功率與入射光功率的比值 |
|
Polarization Dependent Loss |
dB |
偏振相關損耗, 指傳輸光信號的偏振態(tài)在全偏振態(tài)變化時,不同偏振態(tài)通過DUT后最大功率與最小功率的比值 |
|
Wavelength Scan |
dBm |
全波長掃描 |
|
3dB bandwidth |
Hz |
3dB帶寬測試 |
|
O/E |
PD Responsivity |
A/W |
PD響應度,PD探測器將接收到的光轉換成電流的效率 |
Modulator ER |
dB |
靜態(tài)消光比,調(diào)制器在不同偏置電壓下吸收后光功率的最大值與最小值的比值 |
|
E/E |
PD Dark Current |
nA |
PD暗電流,在無光條件下對PD增加偏置電壓測得的反饋電流 |
Heat Resistance |
Ω |
熱阻抗 |
系統(tǒng)測試指標
序號 |
規(guī)格 |
指標 |
1 |
支持晶圓尺寸 |
6寸~8寸(可訂制4寸、12寸) |
2 |
溫度范圍 |
RT~150℃ |
3 |
溫度均勻性 |
<±0.5℃ |
4 |
25℃→150℃ |
<15 mins |
5 |
150℃→25℃ |
<30 mins (手動臺) |
6 |
上下料方式 |
自動與手動 |
7 |
單次耦合時間 |
<2s(掃描軌跡長度<300μm) |
8 |
耦合重復誤差 |
<0.2dB (單一通道) |
9 |
測試類型 |
DC測試,可升級支持AC |
10 |
測試項目 |
O/O,O/E,E/E |
11 |
帶寬測試偏差 |
<1.5G |
12 |
Wafer Map功能 |
可編輯且自動生成Map,且顯示每個Die坐標 |
13 |
分Bin功能 |
支持分Bin,多種顏色區(qū)別測試結果,且顯示不同顏色數(shù)量與比例 |
14 |
自動清針功能 |
支持 |
15 |
CCD自動聚焦功能 |
支持 |
16 |
相機監(jiān)控畫面 |
支持低倍與高倍畫面 |
17 |
EMI屏蔽 |
>20dB @1KHz-1MHz |
18 |
光譜噪聲基底 |
≦150dBVrms/rtHz(≦1MHz) |
19 |
系統(tǒng)AC噪聲 |
≦15mVp-p(≦1GHz) |
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