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晶圓級(jí)老化

WLBI3800

晶圓級(jí)老化系統(tǒng)


WLBI3800晶圓級(jí)老化系統(tǒng)是一款高端專業(yè)的碳化硅晶圓老化測(cè)試設(shè)備,能夠同時(shí)對(duì)3片晶圓進(jìn)行高溫柵極偏壓(HTGB)老化和高溫反向偏壓(HTRB)老化,老化測(cè)試時(shí)間范圍廣泛,從數(shù)分鐘到數(shù)十小時(shí),甚至可擴(kuò)展至數(shù)千小時(shí),可滿足不同產(chǎn)品的老化需求。設(shè)備集成自動(dòng)上料和下料系統(tǒng),雙卡塞設(shè)計(jì)支持無(wú)縫切換,具備自動(dòng)切換老化條件功能,可以對(duì)每個(gè)Die的閾值電壓(Vth)進(jìn)行精確檢測(cè);系統(tǒng)的每個(gè)通道具備獨(dú)立的過電流保護(hù)功能,可確保被測(cè)器件的安全;系統(tǒng)能夠生成Map數(shù)據(jù),以便用戶進(jìn)行深入的性能分析和質(zhì)量控制。系統(tǒng)能夠?yàn)榕可a(chǎn)提供穩(wěn)定可靠的老化測(cè)試支持,也可為研發(fā)應(yīng)用提供靈活的可配置選項(xiàng)。


特點(diǎn)

  • 自動(dòng)化上下料

    支持晶圓的全自動(dòng)上料和下料
    減少人工干預(yù),提高老化效率和準(zhǔn)確性
  • 高精度定位

    針痕重復(fù)定位精度達(dá)到±25μm
  • 系統(tǒng)功能豐富

    支持Map數(shù)據(jù)綁定
    支持高密度探針卡以及高壓Chuck
    最高可支持一次同時(shí)老化2112個(gè)Die
  • 多模式老化

    HTGB與HTRB自動(dòng)可切換,滿足不同老化需求
  • 漏電配置掃描

    Igss與Idss漏電配置可掃描
  • 集成測(cè)試功能

    集成Vth參數(shù)測(cè)試
  • 高精度漏電流測(cè)試

    最高精度漏電流分辨率可以達(dá)到0.1nA
  • 溫度控制

    溫度均勻性≤±3℃,準(zhǔn)確性≤1℃,分辨率0.1

功能與優(yōu)勢(shì)

  • 整機(jī)最多可適配三個(gè)單層,每層適配一個(gè)夾具,且每層電路獨(dú)立控制,可以實(shí)現(xiàn)不同單層工作在不同模式,可以通過調(diào)用老化Plan進(jìn)行不同的老化驗(yàn)證。

WLBI3800(RB+GB)系統(tǒng)配置如下:

序號(hào)

機(jī)型名稱

產(chǎn)品描述

參數(shù)

1

晶圓級(jí)老化系統(tǒng)主機(jī)架

WLBI3800-M

- 包含系統(tǒng)機(jī)架、電氣柜、上下料機(jī)

- 支持晶圓上料、下料全自動(dòng)

- 支持針痕重復(fù)定位精度±25μm

- 支持Map數(shù)據(jù)綁定,數(shù)據(jù)可追溯

- HTGB與HTRB自動(dòng)可切換

- Igss與Idss漏電配置可掃描

- 集成Vth參數(shù)測(cè)試

- 靈活配置老化計(jì)劃

- 支持SECS/GEM通訊接口

- 軟件支持本地?cái)?shù)據(jù)和數(shù)據(jù)庫(kù)上傳,支持EAP對(duì)接。

- 支持CP MAP數(shù)據(jù)導(dǎo)入

- 支持在線編輯測(cè)試Recipe

- 軟件支持三級(jí)權(quán)限管理和多賬號(hào)管理

備注:HTGB+HTRB:滿配3層

2

晶圓級(jí)老化系統(tǒng)單層

WLBI3800-L

- 支持氮?dú)獗Wo(hù),防止高壓打火和Pad氧化。

- 溫度均勻性≤±3℃,準(zhǔn)確性≤1℃,分辨率0.1℃。

- 高密度探針卡以及支持高壓Chuck

- 高精度和高可靠性加熱及溫控系統(tǒng)

- 6&8寸晶圓

- Full Touch, 一次老化所有Die,最高2112個(gè)Die。

- 1年免費(fèi)維護(hù)

備注:HTGB+HTRB滿配3層

3

晶圓級(jí)老化系統(tǒng)夾具

WLBI3800-F

- 針對(duì)Sic晶圓老化:HTGB+HTRB

- 支持6&8寸晶圓

- 最高支持2112個(gè)Die

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