發(fā)布日期：2023.11.23
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導(dǎo)讀：
功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等，電壓處理范圍從幾十伏到幾千伏，電流能力最高可達(dá)幾千安培。聯(lián)訊儀器3500V 高壓源表S3030F 設(shè)計(jì)用于高壓電子和功率半導(dǎo)體器件的特性測試以及其他一些需要高壓和高精度測量的元器件和材料的表征。
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特點(diǎn)優(yōu)勢
S3030F能夠提供最大±3500V、±120mA（直流）、最大10 GΩ電阻測量范圍及最大180W 功率輸出, 廣泛地應(yīng)用在功率半導(dǎo)體特性，GaN、SiC表征，復(fù)合材料，高壓漏電流等測試和研究領(lǐng)域。
1>高壓大功率
±3500V/±120mA（直流）/180W
2>高精度測量
測量分辨率高達(dá)1fA/100uV
3>高速測量
最高1M的ADC采樣率
4>支持超大電阻測量
最大電阻測量范圍10GΩ
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高壓源表應(yīng)用舉例
1>SiC MOSFET 漏極截止電流測試 IDSS
IDSS: 當(dāng)在柵極和源極短路的情況下在漏極與源極之間施加指定電壓時(shí)產(chǎn)生的漏電流
SiC MOSFET V (BR)DSS 測試：
在柵極和源極短路的情況下，利用高壓源表在漏極和源極之間進(jìn)行電流掃描，如上圖所示，利用List掃描功能，掃描電流源輸出20 uA，200 uA,1000 uA,5000 uA,10000 uA，掃描同時(shí)利用高壓源表測量VDS兩端電壓。
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聯(lián)訊儀器精密源表系列
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