汽車不同于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品,會(huì)運(yùn)行在戶外、高溫、高寒、潮濕等苛刻的環(huán)境,且設(shè)計(jì)壽命一般為 15 年或 20 萬(wàn)公里,迭代周期會(huì)遠(yuǎn)高于消費(fèi)電子的2-3年,對(duì)環(huán)境、振動(dòng)、沖擊、可靠性和一致性要求也較高,因此車企通常會(huì)要求供應(yīng)商使用車規(guī)級(jí)元器件,以保證車載ECU產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。
車規(guī)級(jí)功率芯片對(duì)測(cè)試提出更高的需求:
更高電壓電流
SiC需要更高的測(cè)試電流和電壓測(cè)試
1700V MOSFET已成熟,后續(xù)3300V的需求
更高開關(guān)速度
SiC/Gan需要更高的開關(guān)速度測(cè)試
更高的可靠性
封裝前必須保障使用可靠性完全沒有問題的芯片進(jìn)行封裝
更高封裝密度
封裝前必須保障使用性能完全沒有問題的芯片進(jìn)行封裝
為滿足車規(guī)要求,功率器件的測(cè)試工序也更加嚴(yán)格,測(cè)試工序示意圖如下:
聯(lián)訊儀器以不斷填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端光電測(cè)試裝備的空白為使命,結(jié)合自身核心優(yōu)勢(shì),如微弱信號(hào)的檢測(cè),大功率信號(hào)檢測(cè),復(fù)雜探針系統(tǒng)的設(shè)計(jì)等,先后開發(fā)出半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)(碳化硅KGD測(cè)試機(jī) PB6200&PT6200),晶圓級(jí)可靠性(碳化硅高壓晶圓老化 WLR3500)等設(shè)備,助力國(guó)產(chǎn)功率器件的高速高質(zhì)量發(fā)展!
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