SiC 功率器件迅速發(fā)展
功率半導(dǎo)體器件是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件,本質(zhì)上,是通過利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫崿F(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能,無論是水電、核電、火電還是風(fēng)電, 甚至各種電池提供的化學(xué)電能,大部分無法直接使用,需由功率半導(dǎo)體器件進行功率變換以后才能供設(shè)備使用。功率半導(dǎo)體器件可廣泛應(yīng)用于變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關(guān)等場合,能顯著降低系統(tǒng)功耗,被廣泛應(yīng)用于電動汽車、通信、消費電子等工業(yè)領(lǐng)域。
SiC 基功率器件在大功率應(yīng)用場景具備天然優(yōu)勢,以 SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體材料禁 帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)勢,因此采用 SiC 制備的半 導(dǎo)體器件在高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢獨特。
Yole預(yù)測,受新能源汽車和光伏領(lǐng)域應(yīng)用的強烈推動,SiC功率器件市場規(guī)模將從2021 年的 10.90 億美元增至 2027 年的 62.97 億美元,CAGR 達 34%。
Known Good Die 測試
KGD(Known Good Die)通過測試等方法,在封裝之前剔除前工序生產(chǎn)的具有缺點隱患及失效的芯片(芯粒、籽芯、管芯),提高封裝后良率以及滿足高密度多芯片封裝,降低生產(chǎn)成本,加快產(chǎn)品盡快推向上市。
聯(lián)訊儀器SiC KGD測試分選系統(tǒng) PB6600
裝置分離、強擴展性,上下料部分的處理裝置與測試部分分離,擴展性極強
六路并行測試,最多支持6個測試站,不同測試站支持不同的測試條件和項目
靜態(tài)測試 2000V/600A,動態(tài)測試 1200V/2000A
測試結(jié)果精準,室溫 ~ 200 ℃:精度<±3℃,分辨率0.1℃
采用hard docking,系統(tǒng)雜散電感≤50nH
氮氣壓力檢測,探針卡采用密封腔設(shè)計,防止電弧產(chǎn)生
UPH能力超過1400pcs,單測試站測試時間≤1秒
服務(wù)熱線
關(guān)注
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