WAT 測試簡介

WAT是Wafer出Fab廠前的最后一道測試工序。WAT測試通常都是利用晶圓切割道上專門設計的測試結(jié)構(gòu)完成的（圖1）。通過這些測試結(jié)構(gòu)的組合和測試結(jié)果的分析，可以監(jiān)控晶圓制造過程和工序偏差。

圖1 晶圓切割道上的測試結(jié)構(gòu)

WAT 測試系統(tǒng)如圖所示，主要由測試機機柜（Cabinet），測試頭（Test head）和探針臺(Prober)組成.測試機機柜主要包括各種測試儀表及PC控制系統(tǒng)，測試頭中包含開關矩陣及高精度源表及探針接口子系統(tǒng)（Probe Card Interface）等，探針臺負責Wafer載入載出，并精確定位 Wafer上的待測器件。

WAT 參數(shù)測試系統(tǒng)挑戰(zhàn)

WAT 測試是半導體測試中對量測精度要求最高的，對各種測試測量儀表提出了較高的要求。WAT參數(shù)測試系統(tǒng)中的核心測量模塊主要是為測試結(jié)構(gòu)提供激勵源以及測量各種參數(shù)，主要包括：

    SMU（Source Measurement Unit 源測量單元）

    FMU（Frequency Measurement Unit 頻率測量單元）

    SPGU（Semiconductor Pulse Generator Unit 半導體脈沖產(chǎn)生單元）

    CMU（Capacitance Measurement Unit 電容測量單元）

    DMM (Digital Multi Meter 高精度數(shù)字萬用表)

    SWM(Semiconductor Switching Matrix 半導體開關矩陣)

隨著集成電路的制造工藝一直在往前演進，從微米進入到現(xiàn)在的納米級時代，制造工藝越來越復雜，制造工序越來越多。為了保證一定良率，用來監(jiān)控工藝的測試結(jié)構(gòu)和測試參數(shù)快速增長，特別是在先進工藝節(jié)點（14 nm以下）顯得尤為突出。這要求：

· 極高的測試精度（如電流測量分辨率達1fA，測量精度達sub-pA級）

· 很高的測試效率 (如借助Per-pin SMU實現(xiàn)并行測試）

聯(lián)訊儀器WAT參數(shù)測試系統(tǒng)

聯(lián)訊儀器深耕電性能測試測量領域，持續(xù)投入，堅持核心儀表自主研發(fā)，先后完成多款WAT核心測試測量儀表研發(fā)

    pA級高精度數(shù)字源表S2012C，S2016C

    低漏電半導體矩陣開關RM1010-LLC

    高電壓半導體脈沖源S3023P

    3500V高壓源表S3030F

基于聯(lián)訊核心自主研發(fā)電性能測試測量儀表，聯(lián)訊儀器先后推出串行半導體參數(shù)測試系統(tǒng)WAT6200及并行半導體參數(shù)測試系統(tǒng)WAT6600，并即將推出高壓WAT6300。

串行半導體參數(shù)測試系統(tǒng)WAT6200

主要特點

    支持各種半導體芯片的WAT測試，包括Si/GaN/SiC

    最大電壓范圍200V，最大電流范圍1A

    聯(lián)訊儀器自有SMU板卡和低漏電開關板卡

    pA級電流精度滿足WAT量產(chǎn)需求

    PXIE板卡提供串行的靈活性和通用性

    支持所有種類商用探針臺

    支持集成第三方儀表

    軟件可配置，支持用戶開發(fā)測試程序和算法

并行半導體參數(shù)測試系統(tǒng)WAT6600

主要特點

    配置Per-Pin SMU，高達48個SMU，極大提高測試效率

    高分辨率、亞pA級電流測試精度，滿足工藝研發(fā)和量產(chǎn)的全部測試需求

    最大電壓范圍200V，最大電流范圍1A

    支持所有種類商用探針臺

    支持集成第三方儀表

    軟件可配置，支持用戶開發(fā)測試程序和算法